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Mosfet HC4407A P沟道30V 12A功率Mosfet晶体管AO4407 NTMS4177P IRF7424 Si4155DY 4407A
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
HC4407A AO4407
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
Lendo
封装类型
SOP8
其他属性
安装类型
标准
描述
HC4407采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS(ON) 低栅极电荷和栅极电压低至2.5v的操作该器件适合用作负载开关或PWM应用
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
SOP8
类型
P沟道MOSFET HC4407A
工作环境温度
-40 - 125 ℃
系列
功率Mosfet晶体管
D/C
23 +
应用
电源管理
供应类型
原厂原装
相似属性可替代料号
AO4407 NTMS4177P IRF7424 Si4155DY
可参考资料
数据表
品名
P沟道30v 12A功率Mosfet
电压 - 集射极击穿（最大值）
标准
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
标准
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
标准
操作温度
150 °C (TJ)
安装方式
Standard
电阻器 - 基底（R1）
标准
电阻器 - 发射极基底（R2）
标准
FET 类型
MOSFET
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
12A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
14mΩ
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1-3V
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
标准
响应频率(Hz)
标准
额定电流
标准
噪声系数
标准
功率-输出
标准
电压-额定
标准
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
标准
Vgs（最大值）
标准
IGBT 类型
标准
配置
标准
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
标准
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
标准
输入
标准
NTC 热敏电阻
标准
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
标准
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
标准
漏极电流（Id） - 最大值
标准
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
标准
电阻 - RDS（开）
标准
电压
标准
电压-输出
标准
电压 - 偏移（Vt）
标准
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
标准
电流 - 谷值（Iv）
标准
电流 - 峰值
标准
应用
标准
产品名称
HC4407A AO4407
包装类型
SOP-8
参数
P通道30v 12A
Vds漏源电压
30V
VGS栅源电压
20V
最大Id
12A
MPQ
3000 pcs/卷轴
质量
100% 原创100% 品牌
包装和发货信息
Packaging Details
盒子
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
15.5X15.5X5 厘米
单品毛重：
0.002 公斤
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 1000 | 1001 - 10000 | > 10000 |
| 美国东部时间（天） | 2 | 3 | 待定 |
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