描述
The HC2301T uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications
类型
P-Channel Mosfet HC2301T
系列
Power Mosfet Transistor
品名
P-Channel 20V 3A Power Mosfet Transistor
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
Standard
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
Standard
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
Standard
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
Standard
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
Standard
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
Standard
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
Standard
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
Standard
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
Standard
不同 Vce 时的输入电容(Cies)
Standard
电压 - 击穿(V(BR)GSS)
Standard
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
Standard
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)
Standard
电流 - 栅极至阳极漏(Igao)
Standard
晶体管类型
P-Channel Power Mosfet Transistor
Transistors Mosfet
HC2301T
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Quality
100% Original 100% Brand