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我集团电子元件分配器分立半导体SMD单射频场效应管MOSFET阵列IGBT晶体管库存
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重要属性
行业属性
型号
Transistors
种类
标准
品牌
Original brand from HZWL
封装类型
表面贴片封装
其他属性
安装类型
表面贴装
描述
MOSFET
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
表面贴装
类型
晶体管MOSFET, MOSFET, MOSFET晶体管
工作环境温度
标准
系列
MOSFET
D/C
最新
应用
通用
供应类型
原厂原装, ODM, 代理
相似属性可替代料号
原标准
可参考资料
数据表, 照片, EDA/CAD 模型。
品名
场效应三极管
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
标准
电压 - 集射极击穿（最大值）
标准
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
标准
电流 - 集电极截止（最大值）
标准
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
标准
功率 - 最大值
标准
频率 - 跃迁
标准
电阻器 - 基底（R1）
标准
电阻器 - 发射极基底（R2）
标准
FET 类型
标准
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
标准
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
标准
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
标准
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
标准
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
标准
响应频率(Hz)
标准
额定电流
标准
噪声系数
标准
功率-输出
标准
电压-额定
标准
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
标准
Vgs（最大值）
标准
IGBT 类型
标准
配置
原标准
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
标准
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
标准
输入
标准
NTC 热敏电阻
标准
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
标准
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
标准
漏极电流（Id） - 最大值
标准
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
标准
电阻 - RDS（开）
标准
电压
原标准
电压-输出
标准
电压 - 偏移（Vt）
标准
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
标准
电流 - 谷值（Iv）
标准
电流 - 峰值
标准
应用
标准
晶体管类型
IFN201系列N通道JFET
类别
分立半导体产品
特点
符合RoHS、REACH和CMR标准
应用程序
通信系统
电压截止 (VGS off) @ Id
800 mV @ 10 nA
可用数量
1000-市场
保修
365天
付款
Paypal \ TT \ 西联汇款 \ 贸易保证
付款方式
PAYPAL \ TT \ VISA \ 贸易保证
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 300000000 | > 300000000 |
| 美国东部时间（天） | 1 | 待定 |
定制
YP
最小起订量: 10000
如需了解更多定制细节， 私信供应商
供应商的产品说明
1 - 99 pieces
¥0.2178
>= 100 pieces
¥0.0726
数量
物流
商品总计（0 种规格 0 件商品)
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运费总计
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