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MP50N06 FQP50N06 MOSFET 50A 60V TO-220 50N06
暂无评价
Shenzhen Jingmaoyuan Electronics Co., Ltd.
1 yr
CN
重要属性
行业属性
型号
MP50N06
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
original
封装类型
TO-220
其他属性
安装类型
贯通孔
描述
MOSFET
原产地
original
封装/外壳
TO-220
类型
MOSFET
工作环境温度
标准
系列
标准
D/C
最新
应用
逆变器
供应类型
原厂原装, ODM, 代理, 零售商
可参考资料
数据表, 照片, EDA/CAD 模型。, 其他
电压 - 集射极击穿(最大值)
标准
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
标准
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
标准
操作温度
Standard
电阻器 - 基底(R1)
标准
电阻器 - 发射极基底(R2)
标准
漏源电压(Vdss)
标准
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
标准
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
标准
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
标准
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
标准
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
标准
响应频率(Hz)
标准
额定电流
标准
噪声系数
标准
功率-输出
标准
电压-额定
标准
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
标准
Vgs(最大值)
标准
IGBT 类型
标准
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
标准
不同 Vce 时的输入电容(Cies)
标准
输入
标准
NTC 热敏电阻
标准
电压 - 击穿(V(BR)GSS)
标准
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
标准
漏极电流(Id) - 最大值
标准
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)
标准
电阻 - RDS(开)
标准
电压
标准
电压-输出
标准
电压 - 偏移(Vt)
标准
电流 - 栅极至阳极漏(Igao)
标准
电流 - 谷值(Iv)
标准
电流 - 峰值
标准
应用
标准
晶体管类型
MOSFET
提前期
1-3个工作日
服务
一站式Bom服务
数据表
请联系我们!
逆变器
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包装和发货信息
销售单位:
单一商品
单品包装尺寸:
2X1X0.5 厘米
单品毛重:
0.008 公斤
展开
交货时间
数量 (pairs)
1 - 3000
> 3000
美国东部时间(天)
2
待定
定制
外包裝定制
最小起订量: 1000
LOGO定制
最小起订量: 1000
如需了解更多定制细节,
私信供应商
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US$0.12
>= 100 pairs
US$0.10
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