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MP18N20 FQP18N20 18A 200V MOSFET 18N20

暂无评价2010 已售第 #13热卖榜的 逆变器用晶体管
Shenzhen Jingmaoyuan Electronics Co., Ltd.1 yrCN
MP18N20 FQP18N20 18A 200V MOSFET 18N20
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MP18N20 FQP18N20 18A 200V MOSFET 18N20

重要属性

行业属性

型号
MP140N04
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
original
封装类型
TO-220

其他属性

安装类型
Throught Hole
描述
MOSFET
原产地
original
封装/外壳
TO-220
类型
MOSFET
工作环境温度
标准
系列
标准
D/C
最新
应用
逆变器
供应类型
原始制造商, ODM, 代理机构, 零售商
可参考资料
数据表, 照片, EDA/CAD 模型。, 其他
电压 - 集射极击穿（最大值）
标准
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
标准
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
标准
操作温度
Standard
电阻器 - 基底（R1）
标准
电阻器 - 发射极基底（R2）
标准
漏源电压（Vdss）
标准
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
标准
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
标准
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
标准
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
标准
响应频率(Hz)
标准
额定电流
标准
噪声系数
标准
功率-输出
标准
电压-额定
标准
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
标准
Vgs（最大值）
标准
IGBT 类型
标准
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
标准
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
标准
输入
标准
NTC 热敏电阻
标准
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
标准
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
标准
漏极电流（Id） - 最大值
标准
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
标准
电阻 - RDS（开）
标准
电压
标准
电压-输出
标准
电压 - 偏移（Vt）
标准
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
标准
电流 - 谷值（Iv）
标准
电流 - 峰值
标准
应用
标准
晶体管类型
MOSFET
提前期
1-3个工作日
服务
一站式Bom服务
数据表
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逆变器
请联系我们!

包装和发货信息

销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
2X1X0.5 厘米
单品毛重：
0.008 公斤
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¥2.17
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