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MOSFET PSMN020-100YS SOT669 1122 + 新的和原始的库存，准备在1天内发货
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重要属性
行业属性
型号
PSMN020-100YS
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
nx
封装类型
reel
其他属性
安装类型
Surface mount type
描述
MOSFET N-CH 100V 43A LFPAK56
原产地
China
封装/外壳
SOT669
类型
MOSFET
工作环境温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
D/C
1122+
供应类型
代理, 零售商
可参考资料
数据表
FET 类型
n-channel
漏源电压（Vdss）
100 V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
43A(Tc)
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
20.5 milliohm @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
41 nC @ 10 V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2210 pF @ 50 V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
Vgs（最大值）
±20V
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 20000 | > 20000 |
| 美国东部时间（天） | 3 | 待定 |
定制
sample
最小起订量: 10
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