MOSFET IRF640N 18A 200 V 功率 Mosfet IRF640N
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重要属性
行业属性
型号
IRF640N
品牌
original brand
封装类型
引脚直插式封装
其他属性
原产地
Guangdong, China
Type
Triode Transistor
Product name
IRF640N
Package
TO-220
Material
Silicon
Brand
original
Continuous Drain Current
18A
Vdss
200V
Power Dissipation
125W
Gate-Souse Voltage
±20V
Storage Temperature
-55~+150℃
包装和发货信息
Packaging Details
100pieces/boxes or 500pieces/boxes
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
1.5X1.5X1.5 厘米
单品毛重：
0.020 公斤
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 10000 | > 10000 |
| 美国东部时间（天） | 5 | 待定 |
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