MMBTA92晶体管双极 (BJT) 单双极晶体管SOT-23 SC-59 PNP高压双极小信号单晶体管
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
MMBTA92
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
original brand
封装类型
表面贴片封装
其他属性
安装类型
表面贴装
描述
TRANS PNP 300v 0.5A SOT23-3
原产地
original
封装/外壳
TO-236-3 SC-59 SOT-23-3
类型
BJTs-双极晶体管
工作环境温度
BJTs-双极晶体管
系列
MMBTA92
D/C
最新
应用
PNP
供应类型
零售商
相似属性可替代料号
MMBTA92FSTR
可参考资料
数据表, 照片, EDA/CAD 模型。
品名
晶体管
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
500 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
300 V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
500mV @ 2mA 20mA
电流 - 集电极截止（最大值）
250nA(ICBO)
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
25 @ 30mA 10V
功率 - 最大值
350 mW
频率 - 跃迁
50MHz
操作温度
-55 °C ~ 150 °C(TJ)
安装方式
表面贴片封装
电阻器 - 基底（R1）
原标准
电阻器 - 发射极基底（R2）
与原件相同
FET 类型
PNP
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
原标准
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
与原件相同
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
原标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
与原件相同
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
原标准
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
与原件相同
响应频率(Hz)
原标准
额定电流
500 mA
噪声系数
原标准
功率-输出
350 mW
电压-额定
300 V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
与原件相同
Vgs（最大值）
原标准
IGBT 类型
与原件相同
配置
单排
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
与原件相同
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
原标准
输入
与原件相同
NTC 热敏电阻
原标准
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
300 V
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
原标准
漏极电流（Id） - 最大值
与原件相同
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
300 V
电阻 - RDS（开）
与原件相同
电压
300 V
电压-输出
300 V
电压 - 偏移（Vt）
300 V
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
与原件相同
电流 - 谷值（Iv）
500 mA
电流 - 峰值
500 mA
应用
通用
晶体管类型
PNP
SPQ
3k/卷轴
DC集电极/基极增益hfe最小值:
40
技术:
Si
每个芯片的元件数量
1
单位重量:
0.000282盎司
导线形状
鸥翼
Pin计数
3
PCB已更改
3
PPAP
否
湿度敏感度等级 (MSL)
1 (无限制)
包装和发货信息
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
19X19X10 厘米
单品毛重：
1.000 公斤
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 3000 | > 3000 |
| 美国东部时间（天） | 15 | 待定 |
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