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低价高品质原装库存大功率NPN硅晶体管至-3 2N3771
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重要属性
行业属性
型号
2N3771
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
ST
封装类型
/
其他属性
安装类型
/
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
TO-3
类型
晶体管
工作环境温度
/
D/C
20 +
应用
/
供应类型
原厂原装, ODM, 代理
相似属性可替代料号
2N3773, 2N3055
可参考资料
数据表, 照片
品名
2SA1494
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
6 A
电压 - 集射极击穿（最大值）
100V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
1.5 V
电流 - 集电极截止（最大值）
0.7 mA
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
15
功率 - 最大值
65瓦
频率 - 跃迁
3 MHz
操作温度
-
安装方式
引脚直插式封装
电阻器 - 基底（R1）
/
电阻器 - 发射极基底（R2）
-
FET 类型
IGBT
漏源电压（Vdss）
800V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
25A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
响应频率(Hz)
-
额定电流
200mA
噪声系数
-
功率-输出
250瓦
电压-额定
40V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V
Vgs（最大值）
-
IGBT 类型
/
配置
/
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
-
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
-
输入
-
NTC 热敏电阻
-
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
-
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
-
漏极电流（Id） - 最大值
-
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
-
电阻 - RDS（开）
-
电压
-
电压-输出
-
电压 - 偏移（Vt）
-
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
-
电流 - 谷值（Iv）
-
电流 - 峰值
-
应用
/
电子产品描述
高功率NPN硅晶体管
包装和发货信息
Packaging Details
纸箱
Port
shenzhen
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
15X15X5 厘米
单品毛重：
0.500 公斤
供应能力
供应能力
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| 数量 (pieces) | 1 - 10000 | > 10000 |
| 美国东部时间（天） | 5 | 待定 |
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