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KTINKSON 2N系列NPN逆变功率晶体管至-3电子元件2n3055 2nG
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
2n3055
种类
Transistor
品牌
ST
封装类型
晶体管
其他属性
安装类型
晶体管
描述
其他
原产地
Guangdong China
封装/外壳
其他
类型
晶体管
工作环境温度
其他
系列
其他
D/C
其他
应用
电压调节器
供应类型
原厂原装
相似属性可替代料号
其他
可参考资料
数据表
品名
ST
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
其他
电压 - 集射极击穿（最大值）
其他
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
其他
电流 - 集电极截止（最大值）
其他
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
其他
功率 - 最大值
其他
频率 - 跃迁
其他
操作温度
other
安装方式
Transistor
电阻器 - 基底（R1）
其他
电阻器 - 发射极基底（R2）
其他
FET 类型
晶体管
FET 功能
碳化硅
漏源电压（Vdss）
其他
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
其他
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
其他
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
其他
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
其他
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
其他
响应频率(Hz)
其他
额定电流
其他
噪声系数
其他
功率-输出
其他
电压-额定
其他
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
其他
Vgs（最大值）
其他
IGBT 类型
晶体管
配置
单排
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
其他
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
其他
输入
其他
NTC 热敏电阻
其他
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
其他
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
其他
漏极电流（Id） - 最大值
其他
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
其他
电阻 - RDS（开）
其他
电压
其他
电压-输出
其他
电压 - 偏移（Vt）
其他
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
其他
电流 - 谷值（Iv）
其他
电流 - 峰值
其他
应用
电压调节器
晶体管类型
晶体管
包装和发货信息
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
25X25X25 厘米
单品毛重：
1.900 公斤
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 500 | > 500 |
| 美国东部时间（天） | 3 | 待定 |
定制
外包裝定制
最小起订量: 1
如需了解更多定制细节， 私信供应商
