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KTHigh质量新晶体管IRGP4062D功率IGBT 24A600V伏至247红外GPD快速交付
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
IRGP4062D
种类
IGBT晶体管
品牌
Transistors
封装类型
N通道
其他属性
安装类型
通孔通孔
描述
IGBT沟槽600v 48A 250w通孔
原产地
China
封装/外壳
/
类型
IGBT
工作环境温度
-55 °C ~ 175 °C (TJ) -55 °C ~ 175 °C (TJ)
系列
其他
D/C
19 + 20 +
应用
不适用
供应类型
原厂原装, ODM, 代理
相似属性可替代料号
其他
可参考资料
数据表, 照片
品名
晶体管
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
80A
电压 - 集射极击穿（最大值）
75V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
4V @ 3.2A16A
电流 - 集电极截止（最大值）
80A
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
25 @ 8A5V
功率 - 最大值
-
频率 - 跃迁
4MHz
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
安装方式
引脚直插式封装
电阻器 - 基底（R1）
-
电阻器 - 发射极基底（R2）
-
FET 类型
-
FET 功能
不适用
漏源电压（Vdss）
75V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
80A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
响应频率(Hz)
4MHz
额定电流
80A
噪声系数
-
功率-输出
-
电压-额定
-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
Vgs（最大值）
-
IGBT 类型
-
配置
T-型
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
-
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
-
输入
-
NTC 热敏电阻
-
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
-
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
-
漏极电流（Id） - 最大值
-
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
-
电阻 - RDS（开）
-
电压
-
电压-输出
-
电压 - 偏移（Vt）
-
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
-
电流 - 谷值（Iv）
-
电流 - 峰值
-
应用
不适用
晶体管类型
IGBT
晶体管应用
电源控制
输入
--
试验条件
400V 24A 10Ohm 15V
类别
IGBT
原产地
中国广东中国
应用程序
不适用-
品牌名称
晶体管/
频率
4MHz 4MHz
电压-输出
-
驱动电压 (最大Rds On，最小Rds On)
600V- -
供应能力
供应能力
50000 件 per Week
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 1000 | > 1000 |
| 美国东部时间（天） | 4 | 待定 |
定制
外包裝定制
最小起订量: 1
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