原产地
California, United States
品名
MOSFET N CH 40V 120A TO220
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
-
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
-
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
120A (Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
2.5mOhm @ 100A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3.9V @ 100uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
135nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
4730pF @ 25V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V, 10V
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
-
Description
MOSFET N CH 40V 120A TO220
Drain to Source Voltage
40V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 100uA
Gate Charge @ Vgs
135nC @ 10V
Input Capacitance @ Vds
3.9V @ 100uA
Power Dissipation (Max)
143W (Tc)
Supplier Device Package
TO-220AB