原产地
California, United States
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
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不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
5.5A (Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
1Ohm @ 3.3A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
22nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
600pF @ 25V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
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Description
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB
Drain to Source Voltage
400V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250uA
Gate Charge @ Vgs
22nC @ 10V
Input Capacitance @ Vds
4.5V @ 250uA
Power Dissipation (Max)
74W (Tc)
Supplier Device Package
TO-220AB