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Jeking K100E08N1 MOSFET硅n沟道MOS晶体管TK100E08N1
暂无评价
重要属性
其他属性
原产地
China
品牌
Jeking
型号
TK100E08N1
制造商零件编号
TK100E08N1
Rds On (最大值) @ Id，Vgs
3.2毫欧 @ 50A，10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
130数控 @ 10 V
Vgs (最大值)
± 20V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
9000 pF @ 40 V
功耗 (最大值)
255W (Tc)
工作温度
150 °C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-220-3
包装和发货信息
Packaging Details
ESD/Vacuum/Foam/Cartons
Port
Shenzhen/Hongkong
供应能力
供应能力
10000 件 per Week
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 100000 | > 100000 |
| 美国东部时间（天） | 2 | 待定 |
