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Jeking IRLB4132功率MOSFET晶体管IRLB4132PBF
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
STD5NK50ZT4
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
original brand
封装类型
-
其他属性
安装类型
SMD/SMT
描述
晶体管
原产地
California, United States
封装/外壳
TO-247-3
D/C
-
应用
-
供应类型
原厂原装, ODM, 代理, 零售商, 其他
可参考资料
数据表, 照片, EDA/CAD 模型。, 其他
品名
-
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
-
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
-
电流 - 集电极截止（最大值）
-
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
-
功率 - 最大值
-
频率 - 跃迁
-
操作温度
-
安装方式
-
电阻器 - 基底（R1）
-
电阻器 - 发射极基底（R2）
-
FET 类型
-
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
-
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
响应频率(Hz)
-
额定电流
-
噪声系数
-
功率-输出
-
电压-额定
-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
Vgs（最大值）
-
IGBT 类型
-
配置
-
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
-
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
-
输入
-
NTC 热敏电阻
-
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
-
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
-
漏极电流（Id） - 最大值
-
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
-
电阻 - RDS（开）
-
电压
-
电压-输出
-
电压 - 偏移（Vt）
--
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
-
电流 - 谷值（Iv）
-
电流 - 峰值
-
应用
-
零件号
IRLB4132PBF
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35 V @ 100uA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
54 nC @ 4.5 V
Vgs (最大值)
± 20V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
5110 pF @ 15 V
功耗 (最大)
140瓦 (Tc)
工作温度
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
安装类型
表面贴装
包装/案例
TO-220-3
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 10000 | > 10000 |
| 美国东部时间（天） | 5 | 待定 |
定制
外包裝定制
最小起订量: 99999
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