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JX110电子零件集成电路8N60C Mosfet 8N60晶体管7N60C 5N60C至-220 8n60
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重要属性
行业属性
型号
8n60
种类
8n60
品牌
Original Brand
封装类型
原件
其他属性
安装类型
原件
描述
8n60
原产地
China
封装/外壳
8n60c
类型
8n60
工作环境温度
-
系列
8n60
D/C
原件
应用
原件
品名
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
-
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
-
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
-
操作温度
-
安装方式
-
电阻器 - 基底（R1）
-
电阻器 - 发射极基底（R2）
-
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
-
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
响应频率(Hz)
-
额定电流
-
噪声系数
-
功率-输出
-
电压-额定
-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
Vgs（最大值）
-
IGBT 类型
-
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
-
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
-
输入
-
NTC 热敏电阻
-
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
-
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
-
漏极电流（Id） - 最大值
-
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
-
电阻 - RDS（开）
-
电压
-
电压-输出
-
电压 - 偏移（Vt）
-
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
-
电流 - 谷值（Iv）
-
电流 - 峰值
-
应用
-
日期代码
21 +，22 +，23 +，最新
装运
DHL，FedEx，UPS，EMS，中国邮政，Aramex等.
付款
贸易保证订单，T/T，PayPal (信用卡)，西联汇款
应用程序
电子产品，PCB BOM全方位服务
保修
365天
供应能力
供应能力
100000 件 per Week
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 10 | > 10 |
| 美国东部时间（天） | 1 | 待定 |
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