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集成电路Irf3205等离子电视irg71c28u mosfet to-220 ic irf 3205晶体管ic芯片供应商价格d

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重要属性

行业属性

型号
Irf3205
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
-
封装类型
-

其他属性

安装类型
-
描述
晶体管
原产地
China
封装/外壳
-
系列
mosfet
D/C
-
应用
-
品名
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
-
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
-
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
-
操作温度
-
安装方式
-
电阻器 - 基底(R1)
-
电阻器 - 发射极基底(R2)
-
FET 功能
-
漏源电压(Vdss)
-
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
-
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
-
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
-
响应频率(Hz)
-
额定电流
-
噪声系数
-
功率-输出
-
电压-额定
-
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
-
Vgs(最大值)
-
IGBT 类型
-
配置
-
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
-
不同 Vce 时的输入电容(Cies)
-
输入
-
NTC 热敏电阻
-
电压 - 击穿(V(BR)GSS)
-
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
-
漏极电流(Id) - 最大值
-
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)
-
电阻 - RDS(开)
-
电压
-
电压-输出
-
电压 - 偏移(Vt)
-
电流 - 栅极至阳极漏(Igao)
-
电流 - 谷值(Iv)
-
电流 - 峰值
-
应用
-
晶体管类型
-
付款
Paypal \ TT \ 西联汇款 \ 贸易保证
条件
RoHS
装运方式
DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post
最小起订量
5pc
保修
30-90天
提前期
立即发货
质量
原始高
无铅状态
铅FreePb
样品
可用
服务
一站式Bom服务

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单品包装尺寸:
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