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In Stock IRF73 MOSFET 2 N-Channel (Dual) 30V 4.9A 8SO Transistors IRF7303TRPBF
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
IRF7303TRPBF
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
Original manufacturer
封装类型
表面贴片封装
其他属性
安装类型
Surface Mount
描述
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO
原产地
Taiwan, China
封装/外壳
8-SOIC
类型
MOSFETs
工作环境温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
D/C
New Date code
应用
-
供应类型
N-Channel
相似属性可替代料号
-
可参考资料
数据表, 照片
品名
Original manufacturer
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
standard
电压 - 集射极击穿（最大值）
standard
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
standard
电流 - 集电极截止（最大值）
standard
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
standard
功率 - 最大值
standard
频率 - 跃迁
-standard
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装方式
表面贴片封装
电阻器 - 基底（R1）
-standard
电阻器 - 发射极基底（R2）
-standard
FET 类型
-standard
FET 功能
-standard
漏源电压（Vdss）
-standard
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-standard
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
-standard
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-standard
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
-standard
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-standard
响应频率(Hz)
-standard
额定电流
-standard
噪声系数
-standard
功率-输出
-standard
电压-额定
-standard
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
-standard
Vgs（最大值）
-standard
IGBT 类型
-standard
配置
-standard
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
-standard
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
-standard
输入
-standard
NTC 热敏电阻
-standard
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
-standard
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
-standard
漏极电流（Id） - 最大值
-standard
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
-standard
电阻 - RDS（开）
-standard
电压
-standard
电压-输出
-standard
电压 - 偏移（Vt）
-standard
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
-standard
电流 - 谷值（Iv）
-standard
电流 - 峰值
-standard
应用
-standard
晶体管类型
-standard
Service
One Stop Bom Service
Supplier
Electronic Components
Shipping by
DHL\UPS\Fedex\TNT\EMS\SFor Other
Condition
Original manufacturer
Lead Free Status
RoHS Compliant
Location
Shenzhen
Payment
Paypal\TT\Western Union\Trade Assurance
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
包装和发货信息
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
XX 厘米
单品毛重：
公斤
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 1000 | > 1000 |
| 美国东部时间（天） | 5 | 待定 |
