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IRLR3103晶体管MOSFET IRLR3103TRPBF TO-252 MOSFET N-CH 30V 55A 107W DPAK n沟道功率MOSFET全新原装集成电路
暂无评价
Shenzhen Yinggaote Technology Co., Ltd.
实力供应商
3 yrs
CN
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重要属性
行业属性
型号
IRLR3103TRPBF
种类
晶体管
品牌
Si Ta&SH
封装类型
标准
其他属性
安装类型
标准, 标准
描述
标准
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
TO-252
类型
微控制器
工作环境温度
标准, 标准
系列
标准
D/C
标准
应用
标准
供应类型
原厂原装
相似属性可替代料号
标准
可参考资料
其他
品名
标准
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
标准
电压 - 集射极击穿(最大值)
标准
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
标准
电流 - 集电极截止(最大值)
标准
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
标准
功率 - 最大值
标准
频率 - 跃迁
标准
操作温度
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
安装方式
引脚直插式封装
电阻器 - 基底(R1)
标准
电阻器 - 发射极基底(R2)
标准
FET 类型
标准
FET 功能
标准
漏源电压(Vdss)
标准
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
标准
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
标准
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
标准
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
标准
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
标准
响应频率(Hz)
标准
额定电流
标准
噪声系数
标准
功率-输出
标准
电压-额定
标准
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
标准
Vgs(最大值)
标准
IGBT 类型
标准
配置
标准
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
标准
不同 Vce 时的输入电容(Cies)
标准
输入
标准
NTC 热敏电阻
标准
电压 - 击穿(V(BR)GSS)
标准
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
标准
漏极电流(Id) - 最大值
标准
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)
标准
电阻 - RDS(开)
标准
电压
标准
电压-输出
标准
电压 - 偏移(Vt)
标准
电流 - 栅极至阳极漏(Igao)
标准
电流 - 谷值(Iv)
标准
电流 - 峰值
标准
应用
标准
晶体管类型
标准
包装和发货信息
销售单位:
单一商品
单品包装尺寸:
2X2X2 厘米
单品毛重:
0.001 公斤
展开
交货时间
数量 (pieces)
1 - 30000
30001 - 50000
> 50000
美国东部时间(天)
3
5
待定
定制
Original packing
最小起订量: 1000
如需了解更多定制细节,
私信供应商
供应商的产品说明
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¥20.96
100 - 999 pieces
¥11.32
>= 1000 pieces
¥6.89
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