描述
MOSFET N-CH 30V 5A MICRO3/SOT23
封装/外壳
TO-236-3 & SC-59 & SOT-23-3
相似属性可替代料号
IRLML6344TRPBFCT
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
Original Standard
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
Original Standard
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
Original Standard
电阻器 - 基底(R1)
Original Standard
电阻器 - 发射极基底(R2)
Original Standard
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
5A(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
29mOhm @ 5A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.1V @ 10UA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
6.8 nC @ 4.5 V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
650 pF @ 25 V
响应频率(Hz)
Original Standard
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
Original Standard
不同 Vce 时的输入电容(Cies)
Original Standard
NTC 热敏电阻
Original Standard
电压 - 击穿(V(BR)GSS)
Original Standard
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
Original Standard
漏极电流(Id) - 最大值
Original Standard
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)
Original Standard
电阻 - RDS(开)
Original Standard
电压 - 偏移(Vt)
Original Standard
电流 - 栅极至阳极漏(Igao)
Original Standard
电流 - 谷值(Iv)
Original Standard
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Number of Channels
1 Channel
Forward Transconductance - Min
19 S
Typical Turn-Off Delay Time
22 ns
Typical Turn-On Delay Time
4.2 ns