IRFP460N MOSFET N-CH 500V 20A至247 IGBT晶体管MOSFET原始IRFP460 IRFP460NPBF IRFP460N
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重要属性
行业属性
型号
IRFP460PBF
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
VIHAY
封装类型
引脚直插式封装
其他属性
安装类型
贯通孔
描述
通孔TO-247晶闸管
原产地
ORIGINAL
封装/外壳
TO-247
类型
标准
供应类型
原厂原装, ODM, 代理, 零售商, 其他
可参考资料
数据表, 照片, EDA/CAD 模型。, 其他
品名
IRFP460N
电压 - 集射极击穿（最大值）
20A
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
500V
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
500V
操作温度
标准
电阻器 - 基底（R1）
标准
电阻器 - 发射极基底（R2）
标准
漏源电压（Vdss）
标准
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
标准
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
标准
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
标准
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
标准
响应频率(Hz)
标准
额定电流
标准
噪声系数
标准
功率-输出
标准
电压-额定
标准
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
标准
Vgs（最大值）
标准
IGBT 类型
标准
配置
标准
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
标准
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
标准
输入
标准
NTC 热敏电阻
标准
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
1
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
1
漏极电流（Id） - 最大值
1
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
1
电阻 - RDS（开）
标准
电压
1
电压-输出
1
电压 - 偏移（Vt）
1
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
标准
电流 - 谷值（Iv）
标准
电流 - 峰值
标准
应用
标准
晶体管类型
标准
类型
MOSFET
零件号
IRFP460N
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包装和发货信息
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
2X1X0.5 厘米
单品毛重：
0.004 公斤
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| 美国东部时间（天） | 1 | 待定 |
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