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IRF830A单fet MOSFET N沟道500V 5A (Tc) 74W (Tc) 通孔TO-220AB
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重要属性
行业属性
型号
IRF830A
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
Original brand
封装类型
引脚直插式封装
其他属性
安装类型
通孔
描述
MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
原产地
China
封装/外壳
TO-220AB
类型
单个fet, MOSFETs
工作环境温度
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
系列
IRF
D/C
最新
供应类型
原厂原装
可参考资料
数据表, 照片
品名
IRF830A
功率 - 最大值
74W(Tc)
操作温度
-55 °C ~ 150 °C(TJ)
安装方式
引脚直插式封装
FET 类型
N通道
漏源电压（Vdss）
500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
5A(Tc)
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 0.25mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
24 nC @ 10 V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
620 pF @ 25 V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
Vgs（最大值）
± 30V
晶体管类型
N通道
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4欧姆 @ 3A，10v
包装
导管
标准包装
50件
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 10000 | > 10000 |
| 美国东部时间（天） | 5 | 待定 |
定制
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最小起订量: 100000
外包裝定制
最小起订量: 100000
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