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IRF3205 IRF3205晶体管3205 IRF3205PBF电子元件to 220 MOSFET 55V 110A集成电路场效应晶体管

暂无评价

重要属性

行业属性

型号
IRF3205
种类
场效应晶体管
品牌
original
封装类型
引脚直插式封装

其他属性

安装类型
通孔, 表面贴装
描述
IRF3205
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
标准
类型
晶体管, MOSFET
工作环境温度
标准
系列
-
D/C
2022 +
应用
音箱
供应类型
原厂原装, ODM
相似属性可替代料号
N/A
可参考资料
数据表, 照片, EDA/CAD 模型。
品名
晶体管
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
120 A
电压 - 集射极击穿(最大值)
标准
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
2.4V @ 15V, 60A
电流 - 集电极截止(最大值)
N/A
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
N/A
功率 - 最大值
N/A
频率 - 跃迁
N/A
电阻器 - 基底(R1)
N/A
电阻器 - 发射极基底(R2)
N/A
FET 类型
N/A
FET 功能
N/A
漏源电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
N/A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
标准
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
标准
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
标准
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
N/A
响应频率(Hz)
N/A
额定电流
N/A
噪声系数
N/A
功率-输出
N/A
电压-额定
N/A
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
N/A
Vgs(最大值)
N/A
IGBT 类型
N/A
配置
N/A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
N/A
不同 Vce 时的输入电容(Cies)
N/A
输入
N/A
NTC 热敏电阻
N/A
电压 - 击穿(V(BR)GSS)
N/A
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
N/A
漏极电流(Id) - 最大值
N/A
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)
N/A
电阻 - RDS(开)
N/A
电压
N/A
电压-输出
N/A
电压 - 偏移(Vt)
N/A
电流 - 栅极至阳极漏(Igao)
N/A
电流 - 谷值(Iv)
N/A
电流 - 峰值
N/A
应用
放大器

包装和发货信息

销售单位:
单一商品
单品包装尺寸:
2X2X2 厘米
单品毛重:
0.003 公斤

交货时间

供应商的产品说明

10 - 99 pieces
¥17.96
100 - 999 pieces
¥8.98
>= 1000 pieces
¥6.13

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