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IPB65R045C7ATMA1 n沟道功率场效应晶体管MOSFET原装高压mos管电子元件芯片ic
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重要属性
行业属性
型号
IPB65R045C7ATMA1
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
original
封装类型
TO-263-3
其他属性
安装类型
标准
描述
N沟道功率场效应晶体管
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
TO-263-8
类型
MOSFET
工作环境温度
-45 ℃ 至125 ℃
系列
场效应晶体管
D/C
新建
应用
PFC级和硬开关PWM级
供应类型
其他
电压 - 集射极击穿（最大值）
标准
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
标准
操作温度
-55 ℃ 至150 ℃
安装方式
引脚直插式封装
漏源电压（Vdss）
标准
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
标准
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
标准
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
标准
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
标准
响应频率(Hz)
标准
额定电流
标准
噪声系数
标准
功率-输出
标准
电压-额定
标准
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
标准
Vgs（最大值）
标准
IGBT 类型
标准
配置
单排
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
标准
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
标准
输入
标准
NTC 热敏电阻
标准
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
标准
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
标准
电阻 - RDS（开）
标准
电压
1200V
电压-输出
19A
电压 - 偏移（Vt）
19A
应用
斯坦纳德
晶体管类型
MOSFET
最小起订量
1 Pcs
质量
100% 品牌100%
更多细节
MOSFET
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 5000 | > 5000 |
| 美国东部时间（天） | 5 | 待定 |
定制
外包裝定制
最小起订量: 1000
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