IGBT晶体管IKW75N65ES5新原装电子元件库存IKW75N65ES5芯片

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Shenzhen Great achievements Electronics Co., LTD1 yr

CN

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重要属性

行业属性

型号

IKW75N65ES5

种类

Original manufacturer

品牌

Through Hole Through Hole

封装类型

Transistor IGBT Transistor

其他属性

安装类型

Through Hole Through Hole

描述

IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3

原产地

China

封装/外壳

TO-247

类型

Original manufacturer

工作环境温度

-40°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C(TJ)

系列

Through Hole Through Hole

D/C

Within 2 years

应用

Resonant converters

供应类型

原厂原装

相似属性可替代料号

Standard

可参考资料

数据表, 照片, EDA/CAD 模型。

品名

Technologies

电流 - 集电极（Ic）（最大值）

80 A

电压 - 集射极击穿（最大值）

650 V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）

1.75V @ 15V75A

电流 - 集电极截止（最大值）

Standard

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）

Standard

功率 - 最大值

395 W

频率 - 跃迁

Standard

操作温度

-40°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C(TJ)

安装方式

引脚直插式封装

电阻器 - 基底（R1）

Standard

电阻器 - 发射极基底（R2）

Standard

FET 类型

Transistor IGBT Transistor

FET 功能

标准

漏源电压（Vdss）

Standard

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）

Standard

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）

Standard

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）

Standard

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）

Standard

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）

Standard

响应频率(Hz)

Standard

额定电流

Standard

噪声系数

Standard

功率-输出

Standard

电压-额定

Standard

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

Standard

Vgs（最大值）

Standard

IGBT 类型

Transistor IGBT Transistor

配置

Standard

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）

Standard

不同 Vce 时的输入电容（Cies）

Standard

输入

Standard

NTC 热敏电阻

Standard

电压 - 击穿（V（BR）GSS）

Standard

不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）

Standard

漏极电流（Id） - 最大值

Standard

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）

Standard

电阻 - RDS（开）

Standard

电压

650 V

电压-输出

Standard

电压 - 偏移（Vt）

Standard

电流 - 栅极至阳极漏（Igao）

Standard

电流 - 谷值（Iv）

Standard

电流 - 峰值

Standard

应用

Resonant converters

晶体管类型

IGBT

Service

GAE 24/7 on line

Product status

In stock

Quality assurance

100% New Original

Place of Origin

Original Manufacturer

Lead time

1-3 Working Days

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物流

物流

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优选型

总运费： 500 pieces ¥50,477.48

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