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IC MOSFET N-Ch 500V 15A Rdson 0.4 Ohm Electronic Component 2SK2698
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重要属性
行业属性
型号
2SK2698
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
original brand
封装类型
-
其他属性
安装类型
through hole, -
描述
transistor
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
TO-247-3
类型
-, IGBT Transistor
工作环境温度
-, -
系列
-
D/C
-
应用
-
供应类型
原厂原装, 代理, 零售商, Other
相似属性可替代料号
-
可参考资料
数据表, 照片, EDA/CAD 模型。, Other
品名
TRANSISTOR
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
-
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
-
电流 - 集电极截止（最大值）
-
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
-
功率 - 最大值
-
频率 - 跃迁
-
操作温度
- 55C to +150C
安装方式
引脚直插式封装
电阻器 - 基底（R1）
-
电阻器 - 发射极基底（R2）
-
FET 类型
-
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
-
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
响应频率(Hz)
-
额定电流
-
噪声系数
--
功率-输出
-
电压-额定
-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
Vgs（最大值）
--
IGBT 类型
-
配置
-
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
-
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
-
输入
--
NTC 热敏电阻
-
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
-
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
--
漏极电流（Id） - 最大值
-
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
-
电阻 - RDS（开）
--
电压
-
电压-输出
--
电压 - 偏移（Vt）
-
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
-
电流 - 谷值（Iv）
-
电流 - 峰值
-
应用
-
晶体管类型
-
Product Name
2SK2698
Transistor Polarity:
N-Channel
Number of Channels:
1 Channel
Id - Continuous Drain Current:
15 A
Unit Weight:
0.162260 oz
Width
4.5 mm
Height:
20 mm
Length:
15.5 mm
Transistor Type:
1 N-Channel
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 1000 | > 1000 |
| 美国东部时间（天） | 5 | 待定 |
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