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高压MOSFET晶体管电子元件4N60 65R380 7N65 10N65至-252封装21 + D/C代理低价现货

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TO-252
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TOLL
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供应商定制能力

核心行业属性

制造商零件编号

IPP65R380C6

种类

场效应管

品牌

JJW, AGM, AllPower, GOFORD, LXME

封装类型

表面贴片封装

描述

晶体管, Mosfet15N10,4N60,4N65,5N50,6N60,6N65,10N50,10N65,7N65,7N50,25N50

原产地

Guangdong, China

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重要属性

种类
场效应管
应用
国际适用
封装类型
表面贴片封装
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标准
配置
不适用
可参考资料
数据表, 其他
供应类型
代理机构, 其它, 原厂制造商
功率 - 最大值
无效的
封装/外壳
TO-252/TO263/TO220/TO247/托尔/DFN8080
描述
晶体管, Mosfet15N10,4N60,4N65,5N50,6N60,6N65,10N50,10N65,7N65,7N50,25N50
制造商零件编号
IPP65R380C6
品牌
JJW, AGM, AllPower, GOFORD, LXME
原产地
Guangdong, China
工作环境温度
-55°C ～ 175°C（天津）
系列
高压MOSFET系列
生产日期代码
21+/22+/23+/最新
相似属性可替代料号
15N10,4N60,4N65,5N50,6N60,6N65,10N50,10N65,7N65,7N50,25N50
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
无效的
集电极发射极击穿电压（最大值）
2500伏
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
无效的
电流 - 集电极截止（最大值）
无效的
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
无效的
频率 - 跃迁
20伏
电阻器 - 基底（R1）
无效的
电阻器 - 发射极基底（R2）
无效的
FET 类型
-空值
漏源电压（Vdss）
无效的
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
无效的
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
无效的
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
无效的
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
无效的
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
无效的
响应频率(Hz)
无效的
噪声系数
无效的
功率-输出
无效的
电压-额定
无效的
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
无效的
Vgs（最大值）
无效的
IGBT 类型
N沟道
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
无效的
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
无效的
输入
无效的
NTC 热敏电阻
无效的
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
无效的
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
无效的
漏极电流（Id） - 最大值
无效的
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
无效的
电阻 - RDS（开）
无效的
电压-输出
无效的
电压 - 偏移（Vt）
无效的
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
无效的
电流 - 谷值（Iv）
无效的
电流 - 峰值
无效的
晶体管类型
N沟道
安装类型
表面贴片封装

包装和发货信息

销售单位
单个商品

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定制选项

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