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高质量晶体管3904 TRANS NPN 40V 0.2a至-92 2N3904
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
2N3904
种类
标准
品牌
Original Brand
封装类型
引脚直插式封装
其他属性
安装类型
通孔
描述
晶体管
原产地
California, United States
封装/外壳
TO-247-3
类型
MOSFET, 双极结型晶体管
工作环境温度
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
系列
FDC5614P
D/C
新建
供应类型
原厂原装
相似属性可替代料号
FDC5612-NL
可参考资料
数据表, 照片, EDA/CAD 模型。
品名
。
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
200mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
。
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
300mV @ 5mA, 50mA
电流 - 集电极截止（最大值）
。
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
100 @ 10mA, 1V
功率 - 最大值
625兆瓦
频率 - 跃迁
300MHz
电阻器 - 基底（R1）
。
电阻器 - 发射极基底（R2）
。
FET 类型
。
漏源电压（Vdss）
。
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
。
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
。
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
。
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
。
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
。
响应频率(Hz)
。
额定电流
。
噪声系数
。
功率-输出
。
电压-额定
。
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
。
Vgs（最大值）
。
IGBT 类型
。
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
。
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
。
输入
。
NTC 热敏电阻
。
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
。
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
。
漏极电流（Id） - 最大值
。
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
。
电阻 - RDS（开）
。
电压
。
电压-输出
。
电压 - 偏移（Vt）
。
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
。
电流 - 谷值（Iv）
。
电流 - 峰值
..
应用
。
晶体管类型
NPN
零件号
2N3904
电压 (最大)
40V
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 10000 | > 10000 |
| 美国东部时间（天） | 5 | 待定 |
定制
外包裝定制
最小起订量: 99999
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