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高质量金属氧化物半导体场效应晶体管N-CH 600V 12A TO263 AOB12T60PL
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重要属性
行业属性
型号
AOB12T60PL
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
ORIGINAL BRAND
封装类型
表面贴片封装
其他属性
安装类型
SMD/SMT, 表面贴装
描述
标准, MOSFET N-CH 600V 12A TO263
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
TO-226-3
类型
MOSFET, 场效应晶体管
工作环境温度
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
品名
MOSFET N-CH 600V 12A TO263
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
标准
电流 - 集电极截止（最大值）
10uA
FET 类型
N通道, N通道
漏源电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
12A (Tc)
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
520mOhm @ 6A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V 250uA, 5V @ 250uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
50nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2028pF @ 100V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
Vgs（最大值）
± 30V
零件号
AOB12T60PL
漏源电压
600V
电流 @ 25 °C
12A (Tc)
栅极充电 @ Vgs
50nC @ 10V
输入电容 @ Vds
5V @ 250uA
功耗 (最大)
250瓦 (Tc)
公司
世纪超越
付款
TT PAYAPL支付宝
装运方式
DHL EMS UPS FEDEX
保修
1年
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 1000 | > 1000 |
| 美国东部时间（天） | 5 | 待定 |
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