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高质量金属氧化物半导体场效应晶体管n-ch 55V 51A至263 IRLZ44ZS
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重要属性
行业属性
型号
IRLZ44ZS
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
Original Brand
封装类型
表面贴片封装
其他属性
安装类型
SMD/SMT
描述
晶体管
原产地
California, United States
封装/外壳
TO-220-3
类型
场效应晶体管
零件号
IRLZ44ZS
描述
MOSFET N-CH 55V 51A TO263
FET类型
N通道
漏源电压
55V
电流 @ 25 °C
51A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250uA
栅极充电 @ Vgs
36nC @ 5V
输入电容 @ Vds
3V @ 250uA
功耗 (最大)
80W (Tc)
供应能力
供应能力
88000 件 per Day 标准包装
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 1000 | > 1000 |
| 美国东部时间（天） | 5 | 待定 |
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