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高质量金属氧化物半导体场效应晶体管n-ch 100V 80A TO-247AD IXFH80N10Q
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重要属性
行业属性
型号
IXFH80N10Q
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
Original Brand
封装类型
引脚直插式封装
其他属性
安装类型
SMD/SMT
描述
晶体管
原产地
California, United States
封装/外壳
TO-220-3
类型
场效应晶体管
零件号
IXFH80N10Q
描述
MOSFET n-ch 100v 80A TO-247AD
FET类型
N通道
漏源电压
100V
电流 @ 25 °C
80A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
栅极充电 @ Vgs
180nC @ 10V
输入电容 @ Vds
4V @ 4mA
功耗 (最大)
360W (Tc)
供应能力
供应能力
88000 件 per Day 标准包装
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 1000 | > 1000 |
| 美国东部时间（天） | 5 | 待定 |
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