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高质量金属氧化物半导体场效应晶体管n-ch 60V 30A TO-220AB IRLZ34
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
IRLZ34
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
Original Brand
封装类型
引脚直插式封装
其他属性
安装类型
SMD/SMT
描述
标准
原产地
California, United States
封装/外壳
TO-220-3
品名
MOSFET n-ch 60v 30A TO-220AB
操作温度
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
安装方式
引脚直插式封装
FET 类型
N-Channel
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
30A (Tc)
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
50mOhm @ 18A, 5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 250uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
35nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1600pF @ 25V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V, 5V
Vgs（最大值）
± 10V
零件号
IRLZ34
描述
MOSFET n-ch 60v 30A TO-220AB
FET类型
N通道
漏源电压
60V
电流 @ 25 °C
30A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250uA
栅极充电 @ Vgs
35nC @ 5V
输入电容 @ Vds
2V @ 250uA
功耗 (最大)
88瓦 (Tc)
供应商设备包
TO-220AB
供应能力
供应能力
88000 件 per Day 标准包装
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 1000 | > 1000 |
| 美国东部时间（天） | 5 | 待定 |
定制
外包裝定制
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供应商的产品说明
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