悬停鼠标可放大图片
高品质Irfb4110 TO-220AB 100V 180A n沟道MOSFET IRFB4110PBF晶体管制造机
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
2sk3313
种类
ic chips
品牌
original
封装类型
引脚直插式封装
其他属性
安装类型
Through Hole
描述
standard
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
TO-220-3
类型
standard
工作环境温度
-55~150°C
D/C
2021+
应用
负荷开关
供应类型
原厂原装
相似属性可替代料号
-
可参考资料
数据表, 照片
品名
MOSFET
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
-
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
-
电流 - 集电极截止（最大值）
-
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
-
功率 - 最大值
-
频率 - 跃迁
-
电阻器 - 基底（R1）
-
电阻器 - 发射极基底（R2）
-
FET 类型
N-Channel
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
110A (Tc)
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
8mOhm @ 62A, 10V, 8mOhm @ 62A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250uA, 4V @ 250uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
146nC @ 10V, 146nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
3247pF @ 25V, 3247pF @ 25V
响应频率(Hz)
-
额定电流
-
噪声系数
-
功率-输出
-
电压-额定
-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
Vgs（最大值）
±20V, ±20V
IGBT 类型
-
配置
单排
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
-
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
-
输入
-
NTC 热敏电阻
-
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
-
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
-
漏极电流（Id） - 最大值
150A
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
-
电阻 - RDS（开）
-
电压
100V
电压-输出
-
电压 - 偏移（Vt）
-
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
-
电流 - 谷值（Iv）
-
电流 - 峰值
-
应用
-
晶体管类型
mrf150 rf power transistor
brand
100% new and orignal
quality guarantee
test report available
Package
original packages with labels
Efficient
Prompt Delivery
DATE CODE
22+
Shipment
DHL\UPS\FEDEX\EMS\POST
Supplier
ShenZhen Co., Ltd.
Datasheet
Please contact us
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 1000 | 1001 - 10000 | > 10000 |
| 美国东部时间（天） | 180 | 200 | 待定 |
供应商的产品说明
10 - 99999 pieces
¥3.63
>= 100000 pieces
¥3.27
数量
物流
商品总计（0 种规格 0 件商品)
$0.00
运费总计
$0.00
小计
$0.00
会员权益
1000 美元以下订单极速退款查看详细信息
商品保障
商品保障
安全支付![]()
您在阿里巴巴国际站的每一笔支付，都通过SSL加密协议及PCI DSS数据保护协议保障支付安全
退款政策&无忧退![]()
如果您购买的商品未送达、有缺陷或损坏，您可获得退款，此外对于有质量问题的商品，支持免费本地退货
阿里巴巴国际站通过信用保障服务为您在平台上支付的所有订单提供保护