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HZWL新型原装电子PDD0-103N表面贴装晶体管MOSFET晶体管
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
PDD0-103N
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
HZWL
封装类型
standard
其他属性
安装类型
Standard
描述
Standartd
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
standard
类型
MOSFET Transistors
工作环境温度
-55~105
系列
unipolar P channel
D/C
standard
应用
standard
供应类型
原厂原装
相似属性可替代料号
standard
可参考资料
Other
品名
standard
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
18A
电压 - 集射极击穿（最大值）
100V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
100v
电流 - 集电极截止（最大值）
18A
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
standard
功率 - 最大值
standard
频率 - 跃迁
standard
操作温度
-55~105
安装方式
表面贴片封装
电阻器 - 基底（R1）
standard
电阻器 - 发射极基底（R2）
standard
FET 类型
standard
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
18A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
standard
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
standard
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
standard
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
standard
响应频率(Hz)
standard
额定电流
18A
噪声系数
standard
功率-输出
standard
电压-额定
100V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
100V
Vgs（最大值）
100V
IGBT 类型
standard
配置
standard
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
100V
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
100V
输入
standard
NTC 热敏电阻
standard
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
100V
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
100V
漏极电流（Id） - 最大值
18A
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
100V
电阻 - RDS（开）
standard
电压
100V
电压-输出
100V
电压 - 偏移（Vt）
100V
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
18A
电流 - 谷值（Iv）
18A
电流 - 峰值
18A
应用
standard
晶体管类型
Transistors MOSFET
Skype:
wendyxie110288
Product code:
PDD0-103N
Whatsapp&WeChat
8613580501856
Assembly:
SMD
Quality
100% Original 100% Brand
Case:
TO252 (DPAK)
Impedance
Standard
RoHS status:
NO
Shipping ways
DHL\UPS\Fedex\TNT\EMS\ARAMEX
Brand
HZWL
包装和发货信息
Packaging Details
盒子
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 10000 | > 10000 |
| 美国东部时间（天） | 3 | 待定 |
定制
YP
最小起订量: 9999999
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