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HZWL FQF5N80C 5A 800V TO-220F晶体管Bt152放大器500V A7 Smd Mosfet晶体管套件FQF5N80C
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
FQF5N80C
种类
Standard
品牌
[
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"text": "original",
"disabled": false
}
]
封装类型
引脚直插式封装
其他属性
安装类型
standard
描述
standard
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
standard, Electronic Component Standard Reel/Box Packing
类型
standard, IGBT Transistor
工作环境温度
standard
系列
standard
D/C
New
应用
Power Switch Circuits, Communication/Electronics/Lighting
供应类型
原厂原装, Other
相似属性可替代料号
Pls Contact Ours
可参考资料
数据表, 照片, Other
品名
standard
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
15A
电压 - 集射极击穿（最大值）
230V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
3V @ 800mA, 8A
电流 - 集电极截止（最大值）
5uA (ICBO)
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
55 @ 1A, 5V, 80
功率 - 最大值
150W
频率 - 跃迁
30MHz
电阻器 - 基底（R1）
As Parameter
电阻器 - 发射极基底（R2）
As Parameter
FET 类型
{-21-Standard}
FET 功能
碳化硅
漏源电压（Vdss）
As Parameter
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
As Parameter
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
As Parameter
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
As Parameter
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
As Parameter
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
As Parameter
响应频率(Hz)
Original standard
额定电流
15 A
噪声系数
As Parameter
功率-输出
150 Watt
电压-额定
230 Volts
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
As Parameter
Vgs（最大值）
As Parameter
IGBT 类型
As Parameter
配置
三相
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
As Parameter
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
Original standard
输入
As Parameter
NTC 热敏电阻
As Parameter
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
As Parameter
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
As Parameter
漏极电流（Id） - 最大值
As Parameter
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
As Parameter
电阻 - RDS（开）
As Parameter
电压
230 Volts Max Current
电压-输出
230V
电压 - 偏移（Vt）
As Parameter
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
As Parameter
电流 - 谷值（Iv）
As Parameter
电流 - 峰值
As Parameter
应用
Original standard
晶体管类型
Audio Power Transistor
certificate
RoHS
Shipping BY
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post
Quality
100% Original 100% Brand
Service
24 Hours Online
Payment
Paypal\TT\Western Union\Trade Assurance
Provide
One-stop BOM List Service
Deliver time
3-5 working days
Keywords
Transistor
包装和发货信息
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
8X8X32 厘米
单品毛重：
0.952 公斤
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 100000 | > 100000 |
| 美国东部时间（天） | 10 | 待定 |
定制
YP
最小起订量: 1000000
如需了解更多定制细节， 私信供应商
