电流 - 集电极（Ic）（最大值）
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电压 - 集射极击穿（最大值）
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不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
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电流 - 集电极截止（最大值）
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不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
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电阻器 - 基底（R1）
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电阻器 - 发射极基底（R2）
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电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
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不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
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不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
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不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
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不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
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驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
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不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
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不同 Vce 时的输入电容（Cies）
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电压 - 击穿（V（BR）GSS）
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不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
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漏极电流（Id） - 最大值
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不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
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电阻 - RDS（开）
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电压 - 偏移（Vt）
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电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
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电流 - 谷值（Iv）
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HYST Integrated Circuit IGBT Modules 600V 150A 430W Transistors FS150R06 FS150R06KE3BOSA1
