HYST High Quality Original Transistors Electronic Components Bom List Service Transistor MJ15022
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重要属性
行业属性
型号
MJ15022
种类
Transistor
品牌
HYST
封装类型
-
其他属性
安装类型
Through Hole
描述
TRANS NPN 200V 16A TO3
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
TO-204AA
类型
Single Bipolar Transistors
工作环境温度
150°C (TJ)
系列
Transistor
D/C
-
应用
-
供应类型
Other
相似属性可替代料号
-
可参考资料
EDA/CAD 模型。
品名
Transistor MJ15022
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
16 A
电压 - 集射极击穿（最大值）
200 V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
4V @ 3.2A, 16A
电流 - 集电极截止（最大值）
500uA
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
15 @ 8A,4V
功率 - 最大值
250 W
频率 - 跃迁
4MHz
操作温度
150°C (TJ)
安装方式
引脚直插式封装
电阻器 - 基底（R1）
-
电阻器 - 发射极基底（R2）
-
FET 类型
-
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
-
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
响应频率(Hz)
-
额定电流
-
噪声系数
-
功率-输出
-
电压-额定
-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
Vgs（最大值）
-
IGBT 类型
-
配置
-
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
-
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
-
输入
-
NTC 热敏电阻
-
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
-
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
-
漏极电流（Id） - 最大值
-
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
-
电阻 - RDS（开）
-
电压
-
电压-输出
-
电压 - 偏移（Vt）
-
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
-
电流 - 谷值（Iv）
-
电流 - 峰值
-
应用
-
晶体管类型
NPN
Product Name
MJ15022
Part Number
MJ15022
Type
Transistor
PAYMENT
T/T
Shipping
DHL FEDEX EMS UPS
Service
Bom List
Quality
100% Original 100% Brand
Packaging Details
Standard Tube
Other Services
One Stop Bom Service
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| 美国东部时间（天） | 7 | 10 | 待定 |
供应商的产品说明
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