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价格优惠IGB50 IGB50N65S5ATMA1 IGBT晶体管单80A 650V 270W贴片PG-TO263-3 IGB50N65S5 50N65
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重要属性
行业属性
型号
IGB50N65S5ATMA1
种类
IGBT晶体管
品牌
Original
封装类型
SMD
其他属性
原产地
China
封装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
D/C
New
应用
IGBT Transistor
品名
IGB50N65S5ATMA1
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
80A
电压 - 集射极击穿（最大值）
650V
电流 - 集电极截止（最大值）
200A
功率 - 最大值
270W
频率 - 跃迁
1.23mJ (on), 740uJ (off)
操作温度
-40℃ ~ 175℃ (TJ)
安装方式
表面贴片封装
IGBT 类型
Trench Field Stop
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
1.7V @ 15V, 50A
输入
Standard
Switching Energy
1.23mJ (on), 740uJ (off)
Gate Charge
120 nC
Td (on/off) @ 25℃
20ns/139ns
Test Condition
400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
供应能力
供应能力
10000 件 per Week
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 10000 | > 10000 |
| 美国东部时间（天） | 3 | 待定 |
供应商的产品说明
>= 1 pieces
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