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场效应管MOSFET IRF9540N至220 IRF9540至220 IRF9540NPBF MOS三极管晶体管
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重要属性
行业属性
型号
IRF9540N
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
NEW RISE
封装类型
引脚直插式封装
其他属性
安装类型
DIP
描述
TO220
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
TO-220
D/C
-
应用
PCB
供应类型
Other
可参考资料
数据表, 照片
品名
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
-
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
-
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
-
操作温度
-
电阻器 - 基底（R1）
-
电阻器 - 发射极基底（R2）
-
漏源电压（Vdss）
-
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
响应频率(Hz)
-
额定电流
-
噪声系数
-
功率-输出
-
电压-额定
-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
Vgs（最大值）
-
IGBT 类型
-
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
-
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
-
输入
-
NTC 热敏电阻
-
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
-
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
-
漏极电流（Id） - 最大值
-
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
-
电阻 - RDS（开）
-
电压
-
电压-输出
-
电压 - 偏移（Vt）
-
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
-
电流 - 谷值（Iv）
-
电流 - 峰值
-
应用
-
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| 美国东部时间（天） | 7 | 待定 |
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