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工厂价格2英寸硅掺杂 (100)-平面砷化镓GaAs衬底
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重要属性
其他属性
原产地
China
品牌
GaNova
型号
JDCD10-001-002
类型
GaN晶片
Growth Method
VGF
Conduct Type
S-C-N
Dopant
GaAs-Si
OF Length (mm)
17±1
IF Orientation
EJ[0-11]±0.5°
Thickness(um)
350±20
Packaging
Cassette or single
包装和发货信息
Packaging Details
carton
Port
Shanghai
供应能力
供应能力
100000 件 per Month
