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FQP4N90C单fet MOSFET N沟道900V 4A (Tc) 140W (Tc) 通孔TO-220-3
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重要属性
行业属性
型号
FQP4N90C
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
Original brand
封装类型
引脚直插式封装
其他属性
安装类型
通孔
描述
MOSFET n-ch 900v 4A TO220-3
原产地
China
封装/外壳
TO-220-3
类型
单个fet, MOSFETs
工作环境温度
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
系列
FQP4N90C
D/C
最新
应用
通用
供应类型
原厂原装
可参考资料
数据表, 照片
品名
FQP4N90C
功率 - 最大值
140瓦 (Tc)
操作温度
-55 °C ~ 150 °C(TJ)
安装方式
引脚直插式封装
FET 类型
N通道
漏源电压（Vdss）
900 V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
4A(Tc)
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
4.2欧姆 @ 2A，10v
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 0.25mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
22 nC @ 10 V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
960 pF @ 25 V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
Vgs（最大值）
± 30V
技术
MOSFET (金属氧化物)
包装
导管
标准包装
50 Pcs
包装和发货信息
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
5X4X1 厘米
单品毛重：
0.002 公斤
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 10000 | > 10000 |
| 美国东部时间（天） | 5 | 待定 |
定制
LOGO定制
最小起订量: 100000
外包裝定制
最小起订量: 100000
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