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FDS4897AC MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2a 8SO晶体管
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
FDS4897AC
种类
N和P沟道
品牌
Original Brand
封装类型
表面贴片封装
其他属性
安装类型
表面贴装
描述
MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8SO
原产地
United States
封装/外壳
8-SOIC
类型
晶体管
工作环境温度
原件
系列
PowerTrench
D/C
最新
应用
晶体管
供应类型
原厂原装
相似属性可替代料号
晶体管MOSFET
可参考资料
数据表
品名
FDS4897AC
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
晶体管MOSFET
电压 - 集射极击穿（最大值）
晶体管MOSFET
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
晶体管MOSFET
电流 - 集电极截止（最大值）
晶体管MOSFET
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
晶体管MOSFET
功率 - 最大值
晶体管MOSFET
频率 - 跃迁
晶体管MOSFET
操作温度
晶体管MOSFET
安装方式
表面贴片封装
电阻器 - 基底（R1）
晶体管MOSFET
电阻器 - 发射极基底（R2）
晶体管MOSFET
FET 类型
2个N通道 (双)
FET 功能
逻辑电平栅极
漏源电压（Vdss）
晶体管MOSFET
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
晶体管MOSFET
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
晶体管MOSFET
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
晶体管MOSFET
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
晶体管MOSFET
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
晶体管MOSFET
响应频率(Hz)
晶体管MOSFET
额定电流
晶体管MOSFET
噪声系数
晶体管MOSFET
功率-输出
晶体管MOSFET
电压-额定
晶体管MOSFET
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
晶体管MOSFET
Vgs（最大值）
晶体管MOSFET
IGBT 类型
晶体管MOSFET
配置
晶体管MOSFET
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
晶体管MOSFET
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
晶体管MOSFET
输入
晶体管MOSFET
NTC 热敏电阻
晶体管MOSFET
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
晶体管MOSFET
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
晶体管MOSFET
漏极电流（Id） - 最大值
晶体管MOSFET
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
晶体管MOSFET
电阻 - RDS（开）
晶体管MOSFET
电压
晶体管MOSFET
电压-输出
晶体管MOSFET
电压 - 偏移（Vt）
晶体管MOSFET
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
晶体管MOSFET
电流 - 谷值（Iv）
晶体管MOSFET
电流 - 峰值
晶体管MOSFET
应用
晶体管MOSFET
晶体管类型
晶体管MOSFET
BOM服务
可用
PCB组装
可用
IC编程
可用
真空包装
可用
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