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FDP15N65 Bom服务电子元件MOSFET n沟道650V 15A TO220-3全新和原装
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
FDP15N65
种类
MOSFET
品牌
FDP15N65
其他属性
安装类型
标准
描述
标准
原产地
Original
封装/外壳
标准
D/C
最新
供应类型
零售商
相似属性可替代料号
-
可参考资料
数据表
品名
晶体管
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
15A (Tc)
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
标准
电流 - 集电极截止（最大值）
15A (Tc)
操作温度
-55 °C ~ 150 °C(TJ)
安装方式
表面贴片封装
电阻器 - 基底（R1）
标准
电阻器 - 发射极基底（R2）
标准
FET 类型
标准
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
650 V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
15A (Tc)
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
440mOhm @ 7.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
63 nC @ 10 V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
3095 pF @ 25 V
响应频率(Hz)
标准
额定电流
标准
噪声系数
标准
功率-输出
标准
电压-额定
标准
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
Vgs（最大值）
± 30V
IGBT 类型
标准
配置
单排
电阻 - RDS（开）
标准
应用
标准
包装
散装
系列
数据表
零件状态
库存
供应商设备包
框
审批机构
-
样品
可用
条件
新的和原来的
保修
一年
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 10 | 11 - 1000 | 1001 - 2000 | > 2000 |
| 美国东部时间（天） | 3 | 5 | 10 | 待定 |
供应商的产品说明
1 - 999 pieces
¥7.26
1000 - 1999 pieces
¥3.63
2000 - 9999 pieces
¥2.18
>= 10000 pieces
¥0.7257
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