电子零件IGBT晶体管MOSFET 600V 120A 378W DIP至-247 FGH FGH60N60SFD
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重要属性
行业属性
型号
FGH60N60SFD
种类
IGBT晶体管
品牌
Original brand
封装类型
引脚直插式封装
其他属性
描述
IGBT晶体管
原产地
Johor, Malaysia
封装/外壳
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系列
FGH
D/C
新的
应用
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供应类型
原厂原装, ODM, 代理
可参考资料
数据表, 照片, EDA/CAD 模型。
品名
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电流 - 集电极（Ic）（最大值）
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电压 - 集射极击穿（最大值）
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不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
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电流 - 集电极截止（最大值）
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功率 - 最大值
信息
频率 - 跃迁
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操作温度
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安装方式
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电阻器 - 基底（R1）
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电阻器 - 发射极基底（R2）
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FET 类型
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FET 功能
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漏源电压（Vdss）
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电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
.
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
信息
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
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不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
信息
响应频率(Hz)
.
额定电流
.
噪声系数
.
功率-输出
信息
电压-额定
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驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
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Vgs（最大值）
信息
IGBT 类型
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配置
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不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
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不同 Vce 时的输入电容（Cies）
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输入
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NTC 热敏电阻
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电压 - 击穿（V（BR）GSS）
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不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
信息
漏极电流（Id） - 最大值
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不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
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电阻 - RDS（开）
信息
电压
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电压-输出
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电压 - 偏移（Vt）
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电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
信息
电流 - 谷值（Iv）
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电流 - 峰值
.
应用
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运输
DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ 香港邮政
保修
365天
ROHS
是啊
付款方式
T/T，西联汇款，MoneyGram，支付宝，支付宝，托管
出售其它零件
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出售其它系列
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出售其它类型的
FGH75T65SHD-F155 FGH60N60SMD FGH60N60SMD FGH40N60SFDTU
包装和发货信息
Packaging Details
Bulk packing or Retail packing
Port
shenzhen
供应能力
供应能力
10000 件 per Day
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 10000 | > 10000 |
| 美国东部时间（天） | 5 | 待定 |
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