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      电子产品清单好价格至-92 NPN MJE13003晶体管13003 mosfet晶体管13003

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      Shenzhen Xingyaosheng Technology Co., Ltd.3 yrsCN
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      重要属性

      行业属性

      型号
      diode transistors
      种类
      RF晶体管
      品牌
      Original
      封装类型
      引脚直插式封装

      其他属性

      安装类型
      标准
      描述
      标准
      原产地
      Guangdong, China
      封装/外壳
      -
      类型
      -
      工作环境温度
      -
      D/C
      新建
      应用
      不适用
      供应类型
      原厂原装
      可参考资料
      数据表
      品名
      -
      电流 - 集电极（Ic）（最大值）
      -
      电压 - 集射极击穿（最大值）
      -
      不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
      -
      电流 - 集电极截止（最大值）
      -
      不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
      -
      功率 - 最大值
      -
      频率 - 跃迁
      -
      操作温度
      -
      安装方式
      不适用
      电阻器 - 基底（R1）
      -
      电阻器 - 发射极基底（R2）
      -
      FET 类型
      -
      FET 功能
      不适用
      漏源电压（Vdss）
      -
      电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
      -
      不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
      -
      不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
      -
      不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
      -
      不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
      -
      响应频率(Hz)
      -
      额定电流
      -
      噪声系数
      -
      功率-输出
      -
      电压-额定
      -
      驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
      -
      Vgs（最大值）
      -
      IGBT 类型
      -
      配置
      不适用
      不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
      -
      不同 Vce 时的输入电容（Cies）
      -
      输入
      -
      NTC 热敏电阻
      -
      电压 - 击穿（V（BR）GSS）
      -
      不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
      -
      漏极电流（Id） - 最大值
      -
      不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
      -
      电阻 - RDS（开）
      -
      电压
      -
      电压-输出
      -
      电压 - 偏移（Vt）
      -
      电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
      -
      电流 - 谷值（Iv）
      -
      电流 - 峰值
      -
      应用
      -
      质量
      高品质
      最小起订量
      10 Pcs
      提前期
      1-3个工作日
      类型
      集成电路

      包装和发货信息

      Packaging Details
      盒子
      销售单位：
      单一商品
      单品包装尺寸：
      10.00X10.00X10.00 厘米
      单品毛重：
      0.100 公斤

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