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电子元件晶体管功率MOSFET N沟道20A IDS 1200V ON 80MOHM SIC TO-247-3三极管C2M0080120D
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重要属性
行业属性
型号
C2M0080120D
种类
原件
品牌
original
封装类型
引脚直插式封装
其他属性
安装类型
通孔
描述
金属氧化物半导体场效应晶体管
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
TO-247-3
类型
MOSFET
工作环境温度
-55 ℃ ~ 150 ℃
系列
IRLR8726T AOD538 FDD050N03B FDD8896
D/C
数据表
应用
MOSFET 驱动器
供应类型
原厂原装, ODM, 代理
相似属性可替代料号
N/A
可参考资料
数据表
品名
原件
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
N/A
电压 - 集射极击穿（最大值）
标准
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
N/A
电流 - 集电极截止（最大值）
N/A
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
N/A
功率 - 最大值
N/A
频率 - 跃迁
N/A
操作温度
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
安装方式
引脚直插式封装
电阻器 - 基底（R1）
N/A
电阻器 - 发射极基底（R2）
N/A
FET 类型
N/A
FET 功能
N/A
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
80A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
标准
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
标准
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
N/A
响应频率(Hz)
N/A
额定电流
N/A
噪声系数
N/A
功率-输出
N/A
电压-额定
N/A
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
N/A
Vgs（最大值）
N/A
IGBT 类型
N/A
配置
标准
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
N/A
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
N/A
输入
N/A
NTC 热敏电阻
N/A
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
N/A
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
1-2.5V
漏极电流（Id） - 最大值
N/A
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
20V
电阻 - RDS（开）
N/A
电压
N/A
电压-输出
N/A
电压 - 偏移（Vt）
N/A
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
N/A
电流 - 谷值（Iv）
N/A
电流 - 峰值
N/A
应用
通用
晶体管类型
标准
包装和发货信息
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
2X2X2 厘米
单品毛重：
0.001 公斤
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 30000 | 30001 - 50000 | > 50000 |
| 美国东部时间（天） | 3 | 5 | 待定 |
定制
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如需了解更多定制细节， 私信供应商
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