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电子元件Dff2n65 2N65 Jcs2n65fb至-252 2A 650V Smd2n65 n沟道贴片场效应管晶体管Svf12n65f

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重要属性

行业属性

型号
Svf12n65f
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
Original manufacturer

其他属性

安装类型
Through Hole
描述
/
原产地
China
封装/外壳
TO-92
类型
Electronic Component, Transistor
工作环境温度
Null
D/C
In-Stock
供应类型
原厂原装
相似属性可替代料号
LED
可参考资料
照片
品名
Electronic Components
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
Null
电压 - 集射极击穿(最大值)
Null
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
Null
电流 - 集电极截止(最大值)
Null
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
Null
功率 - 最大值
Null
频率 - 跃迁
Null
电阻器 - 基底(R1)
Null
电阻器 - 发射极基底(R2)
Null
FET 类型
Null
漏源电压(Vdss)
Null
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
Null
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
290m0hm 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V 250HA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
54nC 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1500pF 25V
响应频率(Hz)
Null
额定电流
Null
噪声系数
Null
功率-输出
Null
电压-额定
Null
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
Null
Vgs(最大值)
Null
IGBT 类型
Null
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
Null
不同 Vce 时的输入电容(Cies)
Null
输入
Null
NTC 热敏电阻
Null
电压 - 击穿(V(BR)GSS)
Null
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
Null
漏极电流(Id) - 最大值
Null
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)
Null
电阻 - RDS(开)
Null
电压
Null, Standard V
电压-输出
Null
电压 - 偏移(Vt)
Null
电流 - 栅极至阳极漏(Igao)
Null
电流 - 谷值(Iv)
Null
电流 - 峰值
Null
应用
PCBA
Payment ways
TT/WESTERN UNION/PAYPAL AND SO ON
ROHS
YES
Temperature
Standard T
Date Code
Brand New
Brand Name
NO brand
Dadecode
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包装和发货信息

销售单位:
单一商品
单品包装尺寸:
1X1X1 厘米
单品毛重:
0.010 公斤

供应能力

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美国东部时间(天)712待定
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外包裝定制
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供应商的产品说明

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100 - 199 pieces
US$0.88
>= 200 pieces
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商品规格

选项总数:

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