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电子元件to-3p Irfp150npbf至247 Irfp150 Mosfet晶体管Irfp150n

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重要属性

行业属性

型号
Irfp150npbf
种类
标准
品牌
Origin
封装类型
To-247

其他属性

安装类型
SMD-DIP, N/A
描述
晶体管Irfp150npbf
原产地
China
封装/外壳
N/A
类型
其他
工作环境温度
N/A
D/C
新建
应用
N/A
供应类型
N/A
相似属性可替代料号
N/A
可参考资料
N/A
品名
N/A,原件
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
N/A
电压 - 集射极击穿(最大值)
N/A
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
N/A
电流 - 集电极截止(最大值)
N/A
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
N/A
功率 - 最大值
N/A
频率 - 跃迁
N/A
电阻器 - 基底(R1)
N/A
电阻器 - 发射极基底(R2)
N/A
FET 类型
N/A
FET 功能
N/A
漏源电压(Vdss)
100 V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
42A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
36mOhm
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
110数控
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
± 20V
响应频率(Hz)
N/A
额定电流
N/A
噪声系数
N/A
功率-输出
N/A
电压-额定
N/A
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
N/A
Vgs(最大值)
N/A
IGBT 类型
N/A
配置
N/A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
N/A
不同 Vce 时的输入电容(Cies)
N/A
输入
N/A
NTC 热敏电阻
N/A
电压 - 击穿(V(BR)GSS)
N/A
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
N/A
漏极电流(Id) - 最大值
N/A
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)
N/A
电阻 - RDS(开)
N/A
电压
N/A
保修
1年
放养时间
3-5天
送货地址
深圳

包装和发货信息

Packaging Details
全新和原装,工厂密封包装,将包装在以下包装类型之一: 管,托盘,胶带和卷轴,胶带和盒子,散装包装,袋子等。请与我们联系以获取更多详细信息。
Port
shenzhen

供应能力

供应能力
10000 件 per Week

交货时间

数量 (pieces)1 - 1011 - 100 > 100
美国东部时间(天)12待定

定制

PCBA
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SMT
最小起订量: 1

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₩3,815

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