电气元件场效应三极管晶体管263 80N03L
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重要属性
行业属性
型号
80N03L
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
Original brand
封装类型
引脚直插式封装
其他属性
原产地
Johor, Malaysia
封装/外壳
.
D/C
新的
应用
.
供应类型
原厂原装, ODM, 代理
可参考资料
数据表, EDA/CAD 模型。
品名
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电流 - 集电极（Ic）（最大值）
.
电压 - 集射极击穿（最大值）
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不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
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电流 - 集电极截止（最大值）
信息
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
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功率 - 最大值
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频率 - 跃迁
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操作温度
信息
安装方式
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电阻器 - 基底（R1）
信息
电阻器 - 发射极基底（R2）
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FET 类型
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FET 功能
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漏源电压（Vdss）
信息
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
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不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
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不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
信息
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
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不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
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响应频率(Hz)
信息
额定电流
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噪声系数
.
功率-输出
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电压-额定
信息
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
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Vgs（最大值）
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IGBT 类型
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配置
信息
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
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不同 Vce 时的输入电容（Cies）
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输入
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NTC 热敏电阻
信息
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
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不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
.
漏极电流（Id） - 最大值
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不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
.
电阻 - RDS（开）
信息
电压
.
电压-输出
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电压 - 偏移（Vt）
.
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
信息
电流 - 谷值（Iv）
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电流 - 峰值
.
应用
.
运输
DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ 香港邮政
保修
365天
ROHS
是啊
付款方式
T/T，西联汇款，MoneyGram，支付宝，支付宝，托管
有现货
是啊
使用示例
支持
出售其它零件
88AP300-A1-BGK1C624-T162 84500-102LF 88E8056-A2-NNC1C000-P123
出售其它IC
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出售其它电子产品
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包装和发货信息
Packaging Details
Bulk packing or Retail packing
Port
shenzhen
供应能力
供应能力
100000 件 per Day
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 10000 | > 10000 |
| 美国东部时间（天） | 5 | 待定 |
