TO-3PN-3 FQA24N50的EC-Mart通孔MOSFET晶体管

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EC Mart Trading (Shenzhen) Limited7 yrs

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重要属性

行业属性

型号

FQA24N50

种类

金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)

品牌

original

封装类型

引脚直插式封装

其他属性

描述

MOSFET

原产地

Guangdong, China

封装/外壳

TO-3PN-3

系列

FQA24N50

D/C

new

品名

FQA24N50

电流 - 集电极（Ic）（最大值）

电压 - 集射极击穿（最大值）

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）

电流 - 集电极截止（最大值）

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）

功率 - 最大值

频率 - 跃迁

操作温度

安装方式

引脚直插式封装

电阻器 - 基底（R1）

电阻器 - 发射极基底（R2）

FET 类型

FET 功能

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）

响应频率(Hz)

额定电流

噪声系数

功率-输出

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

IGBT 类型

配置

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）

不同 Vce 时的输入电容（Cies）

输入

NTC 热敏电阻

电压 - 击穿（V（BR）GSS）

不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）

电阻 - RDS（开）

电压

电压-输出

电压 - 偏移（Vt）

电流 - 栅极至阳极漏（Igao）

电流 - 谷值（Iv）

电流 - 峰值

应用

Transistor Polarity

N-Channel

Number of Channels

1 Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

500 V

Id - Continuous Drain Current

24 A

Rds On - Drain-Source Resistance

200 mOhms

Vgs - Gate-Source Voltage

- 30 V, + 30 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

5 V

Qg - Gate Charge

90 nC

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

展开

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